Etching of InP by H₃PO₄, H₂O₂ Solutions

A. Mouton, Chetlur S. Sundararaman, H. Lafontaine, S. Poulin et John F. Currie

Article de revue (1990)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69941/
Titre de la revue:	Japanese Journal of Applied Physics (vol. 29, no 10R)
Maison d'édition:	Institute of Physics
DOI:	10.1143/jjap.29.1912
URL officielle:	https://doi.org/10.1143/jjap.29.1912
Date du dépôt:	20 nov. 2025 15:52
Dernière modification:	20 nov. 2025 15:52

Citer en APA 7:	Mouton, A., Sundararaman, C. S., Lafontaine, H., Poulin, S., & Currie, J. F. (1990). Etching of InP by H₃PO₄, H₂O₂ Solutions. Japanese Journal of Applied Physics, 29(10R), 1912-1913. https://doi.org/10.1143/jjap.29.1912
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