Energy density distribution of interface states in Au Schottky contacts to epitaxial In₀.₂₁Ga₀.₇₉As:Zn layers grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

Arjun Singh, P. Cova et Rémo A. Masut

Article de revue (1993)

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Mots clés

• Atomic and Molecular Physics, and Optics
• Electrical and Electronic Engineering
• Semiconductor materials and devices
• Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
• Semiconductor materials and interfaces

Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/69702/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 74, no 11)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.355094
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.355094
Date du dépôt:	24 nov. 2025 15:46
Dernière modification:	24 nov. 2025 15:46

Citer en APA 7:	Singh, A., Cova, P., & Masut, R. A. (1993). Energy density distribution of interface states in Au Schottky contacts to epitaxial In₀.₂₁Ga₀.₇₉As:Zn layers grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 74(11), 6714-6719. https://doi.org/10.1063/1.355094
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