Energy density distribution of interface states in Au Schottky contacts to epitaxial In₀.₂₁Ga₀.₇₉As:Zn layers grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

Arjun Singh, P. Cova, Rémo A. Masut

Article de revue (1993)

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Mots clés

Département:
Département de génie physique
Unité de recherche:
GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/69702/
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 74 , no 11 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
10.1063/1.355094
URL officielle:
https://doi.org/10.1063/1.355094
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:69702
ORCID
Date du dépôt:
24 nov. 2025 15:46
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:30
Citer en APA 7:
Singh, A., Cova, P., & Masut, R. A. (1993). Energy density distribution of interface states in Au Schottky contacts to epitaxial In₀.₂₁Ga₀.₇₉As:Zn layers grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 74(11), 6714-6719. https://doi.org/10.1063/1.355094

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