Jelly Demeulemeester, A. Schrauwen, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, M. Adachi, Yosuke Shimura, C. M. Comrie, Claudia Fleischmann, Christophe Detavernier, K. Temst et A. Vantomme
Article de revue (2011)
Un lien externe est disponible pour ce document| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
| Organismes subventionnaires: | FWO, JSPS (Japan), NRF in South Africa, SPIRIT |
| Numéro de subvention: | GOA/2009/006, CREA/07/005, IAP P6/42, 227012 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/69291/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 99, no 21) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.3662925 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.3662925 |
| Date du dépôt: | 29 oct. 2025 11:21 |
| Dernière modification: | 29 oct. 2025 11:21 |
| Citer en APA 7: | Demeulemeester, J., Schrauwen, A., Nakatsuka, O., Zaima, S., Adachi, M., Shimura, Y., Comrie, C. M., Fleischmann, C., Detavernier, C., Temst, K., & Vantomme, A. (2011). Sn diffusion during Ni germanide growth on Ge1–xSnx. Applied Physics Letters, 99(21), 211905 (3 pages). https://doi.org/10.1063/1.3662925 |
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