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Conception et réalisation d'un échantillonneur de grande vitesse en technologie higfet (transistor à effec de champ avec hétérostructure et grille isolée)

Mihai Tazlauanu

PhD thesis (1997)

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Cite this document: Tazlauanu, M. (1997). Conception et réalisation d'un échantillonneur de grande vitesse en technologie higfet (transistor à effec de champ avec hétérostructure et grille isolée) (PhD thesis, École Polytechnique de Montréal). Retrieved from https://publications.polymtl.ca/6838/
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Abstract

Dispositif HIGFET -- Structure du HIGFET -- Physique de la structure HIGFET -- Transistor HIGFET réel -- Modélisation du HIGFET -- Modèle petit signal du HIGFET -- Méthodologie d'évaluation du circuit équivalent extrinsèque -- Calcul des paramètres intrinsèques -- Influence de la polarisation et fréquence sur les éléments du circuit -- Impédance d'entrée et de sortie du HIGFET -- Conception des circuits d'échantillonnage-blocage -- Conception des circuits numériques -- Conception des jeux de masques -- Processus de fabrication -- Fabrication des dispositifs HIGFET -- Contrôle technologique -- Simulation empirique du processus RIE -- Mesures électriques -- Mesures des HIGFETs en courant continu -- Performances électriques des circuits numériques -- Mesures électriques à haute fréquence.

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Additional Information: Le fichier PDF de ce document a été produit par Bibliothèque et Archives Canada selon les termes du programme Thèses Canada https://canada.on.worldcat.org/oclc/46577607
Department: Département de génie physique
Date Deposited: 04 Aug 2021 11:06
Last Modified: 25 Aug 2021 14:57
PolyPublie URL: https://publications.polymtl.ca/6838/

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