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In-Situ n-Type Doped Carrier-Injection Layers in GeSn Direct Bandgap LEDs for Methane Sensing

C. Cardoux, Lara Casiez, Jérémie Chrétien, Paul Goulain, Marvin Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, O. Gravrand, Jean-Michel Hartmann, Alexei Tchelnokov et Vincent Reboud

Article de revue (2024)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/62257/
Titre de la revue: Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) (vol. MA2024-02, no 32)
Maison d'édition: Institute of Physics
DOI: 10.1149/ma2024-02322327mtgabs
URL officielle: https://doi.org/10.1149/ma2024-02322327mtgabs
Date du dépôt: 30 janv. 2025 10:39
Dernière modification: 08 avr. 2025 07:30
Citer en APA 7: Cardoux, C., Casiez, L., Chrétien, J., Goulain, P., Frauenrath, M., Pauc, N., Calvo, V., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Gravrand, O., Hartmann, J.-M., Tchelnokov, A., & Reboud, V. (2024). In-Situ n-Type Doped Carrier-Injection Layers in GeSn Direct Bandgap LEDs for Methane Sensing. Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2024-02(32), 2327-2327. https://doi.org/10.1149/ma2024-02322327mtgabs

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