C. Cardoux, Lara Casiez, Jérémie Chrétien, Paul Goulain, Marvin Frauenrath, N. Pauc, V. Calvo, Nicolas Coudurier, Philippe Rodriguez, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, O. Gravrand, Jean-Michel Hartmann, Alexei Tchelnokov et Vincent Reboud
Article de revue (2024)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/62257/ |
Titre de la revue: | Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) (vol. MA2024-02, no 32) |
Maison d'édition: | Institute of Physics |
DOI: | 10.1149/ma2024-02322327mtgabs |
URL officielle: | https://doi.org/10.1149/ma2024-02322327mtgabs |
Date du dépôt: | 30 janv. 2025 10:39 |
Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:30 |
Citer en APA 7: | Cardoux, C., Casiez, L., Chrétien, J., Goulain, P., Frauenrath, M., Pauc, N., Calvo, V., Coudurier, N., Rodriguez, P., Koelling, S., Moutanabbir, O., Gravrand, O., Hartmann, J.-M., Tchelnokov, A., & Reboud, V. (2024). In-Situ n-Type Doped Carrier-Injection Layers in GeSn Direct Bandgap LEDs for Methane Sensing. Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM), MA2024-02(32), 2327-2327. https://doi.org/10.1149/ma2024-02322327mtgabs |
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