Autocatalytic Deposition of Nickel–Boron Diffusion Barrier onto Diazonium-Treated SiO2 for High Aspect Ratio Through-Silicon Via Technology in 3D Integration

Gul Zeb, Tien Dat Nguyen, Thi Phuong Ly Giang, Xuan Tuan Le

Article de revue (2024)

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Titre de la revue :
ACS Applied Electronic Materials
Maison d'édition:
American Chemical Society
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:57861
ORCID
Date du dépôt:
28 mars 2024 15:20
Dernière modification:
14 oct. 2026 14:17
Citer en APA 7:
Zeb, G., Nguyen, T. D., Giang, T. P. L., & Le, X. T. (2024). Autocatalytic Deposition of Nickel–Boron Diffusion Barrier onto Diazonium-Treated SiO2 for High Aspect Ratio Through-Silicon Via Technology in 3D Integration. ACS Applied Electronic Materials, 00062 (8 pages). https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c00062

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