Mémoire de maîtrise (1991)
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Abstract
Method of preparation of solution deposited -- Thin films -- Determination of the film thickness and its index of refraction -- Determination of refractive index and thickness of solution deposited thin films on silicon and glass -- Normalised reflectance of absorbing films on absorbing or transparent substrates -- Experimental use of the normalised reflectance method -- Solution deposited SiO2 on Si, GaAs and InP -- Mechanical properties and film homogeneity -- Antireflective, protective and waveguide.
| Département: | Département de génie physique |
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| Programme: | Génie physique |
| Directeurs ou directrices: | John F. Currie et S. Iraj Najafi |
| ISBN: | 0315727624; 9780315727625 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/56728/ |
| Université/École: | École Polytechnique de Montréal |
| Date du dépôt: | 27 nov. 2023 13:43 |
| Dernière modification: | 01 oct. 2024 10:31 |
| Citer en APA 7: | Shen, P. (1991). Doped SiO thin films for integrated optics and microelectronics [Mémoire de maîtrise, École Polytechnique de Montréal]. PolyPublie. https://publications.polymtl.ca/56728/ |
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