Real-Time and Atomic-Level Studies of the Growth, Phase Transformations and Stability of Two-Dimensional Pnictogens

Les pnictogènes, ou éléments du groupe VA sont composés de l'azote (N), du phosphore (P), de l'arsenic (As), de l'antimoine (Sb) et du bismuth (Bi). Grâce à leur configuration électronique de valence (ns2 np3), ils adoptent une hybridation sp3 et forment trois liens covalents en phase solide. Dû à cette configuration électronique unique, les pnictogènes, avec le graphite, sont les seuls matériaux élémentaires à se cristalliser en structures en couches van der Waals (vdW) et quasi-vdW. Typiquement, les éléments légers du groupe VA forment des solides de la phase orthorhombique A17 tandis que les éléments lourds préfèrent la phase rhomboédrique A7. Avec leur structure en couches, les pnictogènes sont des candidats idéaux pour former des matériaux bidimensionnels (2D). En effet, des couches 2D de phosphore noir (A17) ont été obtenues par exfoliation de cristaux massifs en 2014. Le 2D-P a été identifié comme étant un semiconducteur à mobilité élevée ayant des propriétés de transport anisotropes et possédant une bande interdite directe dont l'amplitude augmente graduellement de 0.3 à 2 eV en passant du matériau massif à des couches d'épaisseur atomique. Toutefois, au début de ce projet, la plupart des pnictogènes 2D n'existaient que sous forme de prédictions théoriques. En effet, on prédisait que les matériaux 2D légers du groupe VA seraient des semiconducteurs à large bande interdite, tandis que les pnictogènes lourds subiraient plusieurs transitions de phase électronique et topologique lorsqu'ils approcheraient des épaisseurs atomiques. Cette thèse vise à développer la synthèse de nouveaux pnictogènes 2D et à élucider les mécanismes gouvernant leur croissance, leur stabilité thermodynamique, ainsi que leurs propriétés physiques de base. La croissance par épitaxie par jets moléculaires (MBE) sur des substrats semiconducteurs et vdW, les transitions de phase et la décomposition thermique de matériaux 2D du groupe VA a été étudiée en temps réels par microscopie électronique à faible énergie (LEEM). De plus, leurs propriétés structurelles, électroniques et thermodynamiques ont été élucidées par la combinaison de calculs ab initio avec des mesures de diffraction d'électrons lents (LEED), de microscopie par effet tunnel (STM), de microscopie électronique en transmission à balayage (STEM) et de microscopie de photoélectrons par rayons-X (XPEEM).