Oussama Moutanabbir
, Simone Assali, X. Gong, E. O'Reilly, C. A. Broderick, B. Marzban, J. Witzens, W. Du, S. Q. Yu, A. Chelnokov, D. Buca et D. Nam
Article de revue (2021)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/48058/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 118, no 11) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/5.0043511 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/5.0043511 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:00 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:37 |
| Citer en APA 7: | Moutanabbir, O., Assali, S., Gong, X., O'Reilly, E., Broderick, C. A., Marzban, B., Witzens, J., Du, W., Yu, S. Q., Chelnokov, A., Buca, D., & Nam, D. (2021). Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si)GeSn semiconductors. Applied Physics Letters, 118(11), 110502 (10 pages). https://doi.org/10.1063/5.0043511 |
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