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Flexible Ion-Gated Transistors Making Use of Poly-3-hexylthiophene (P3HT): Effect of the Molecular Weight on the Effectiveness of Gating and Device Performance

Tian Lan, Zhaojing Gao, Martin S. Barbosa et Clara Santato

Article de revue (2020)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/45776/
Titre de la revue: Journal of Electronic Materials (vol. 49, no 9)
Maison d'édition: Springer
DOI: 10.1007/s11664-020-08242-3
URL officielle: https://doi.org/10.1007/s11664-020-08242-3
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:01
Dernière modification: 18 avr. 2023 15:01
Citer en APA 7: Lan, T., Gao, Z., Barbosa, M. S., & Santato, C. (2020). Flexible Ion-Gated Transistors Making Use of Poly-3-hexylthiophene (P3HT): Effect of the Molecular Weight on the Effectiveness of Gating and Device Performance. Journal of Electronic Materials, 49(9), 5302-5307. https://doi.org/10.1007/s11664-020-08242-3

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