Tian Lan, Zhaojing Gao, Martin S. Barbosa, Clara Santato
Article de revue (2020)
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Département:
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Titre de la revue
:
Journal of Electronic Materials
(
vol.
49
,
no
9
)
Maison d'édition:
Springer
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:45776
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:59
Citer en APA 7:
Lan, T., Gao, Z., Barbosa, M. S., & Santato, C. (2020). Flexible Ion-Gated Transistors Making Use of Poly-3-hexylthiophene (P3HT): Effect of the Molecular Weight on the Effectiveness of Gating and Device Performance. Journal of Electronic Materials, 49(9), 5302-5307. https://doi.org/10.1007/s11664-020-08242-3
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