Flexible Ion-Gated Transistors Making Use of Poly-3-hexylthiophene (P3HT): Effect of the Molecular Weight on the Effectiveness of Gating and Device Performance

Tian Lan, Zhaojing Gao, Martin S. Barbosa et Clara Santato

Article de revue (2020)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/45776/
Titre de la revue:	Journal of Electronic Materials (vol. 49, no 9)
Maison d'édition:	Springer
DOI:	10.1007/s11664-020-08242-3
URL officielle:	https://doi.org/10.1007/s11664-020-08242-3
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:33

Citer en APA 7:	Lan, T., Gao, Z., Barbosa, M. S., & Santato, C. (2020). Flexible Ion-Gated Transistors Making Use of Poly-3-hexylthiophene (P3HT): Effect of the Molecular Weight on the Effectiveness of Gating and Device Performance. Journal of Electronic Materials, 49(9), 5302-5307. https://doi.org/10.1007/s11664-020-08242-3
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