Intersubband Transition Engineering in the Conduction Band of Asymmetric Coupled Ge/SiGe Quantum Wells

Luca Persichetti, Michele Montanari, Chiara Ciano, Luciana Di Gaspare, Michele Ortolani, Leonetta Baldassarre, Marvin Zoellner, Samik Mukherjee, Oussama Moutanabbir, Giovanni Capellini, Michele Virgilio, Monica De Seta

Article de revue (2020)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue :
Crystals ( vol. 10 , no 3 )
Maison d'édition:
MDPI
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:45323
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:01
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:58
Citer en APA 7:
Persichetti, L., Montanari, M., Ciano, C., Di Gaspare, L., Ortolani, M., Baldassarre, L., Zoellner, M., Mukherjee, S., Moutanabbir, O., Capellini, G., Virgilio, M., & De Seta, M. (2020). Intersubband Transition Engineering in the Conduction Band of Asymmetric Coupled Ge/SiGe Quantum Wells. Crystals, 10(3), 179 (13 pages). https://doi.org/10.3390/cryst10030179

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document