Luca Persichetti, Michele Montanari, Chiara Ciano, Luciana Di Gaspare, Michele Ortolani, Leonetta Baldassarre, Marvin Zoellner, Samik Mukherjee, Oussama Moutanabbir
, Giovanni Capellini, Michele Virgilio et Monica De Seta
Article de revue (2020)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45323/ |
| Titre de la revue: | Crystals (vol. 10, no 3) |
| Maison d'édition: | MDPI |
| DOI: | 10.3390/cryst10030179 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.3390/cryst10030179 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:44 |
| Citer en APA 7: | Persichetti, L., Montanari, M., Ciano, C., Di Gaspare, L., Ortolani, M., Baldassarre, L., Zoellner, M., Mukherjee, S., Moutanabbir, O., Capellini, G., Virgilio, M., & De Seta, M. (2020). Intersubband Transition Engineering in the Conduction Band of Asymmetric Coupled Ge/SiGe Quantum Wells. Crystals, 10(3), 179 (13 pages). https://doi.org/10.3390/cryst10030179 |
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