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Intersubband Transition Engineering in the Conduction Band of Asymmetric Coupled Ge/SiGe Quantum Wells

Luca Persichetti, Michele Montanari, Chiara Ciano, Luciana Di Gaspare, Michele Ortolani, Leonetta Baldassarre, Marvin Zoellner, Samik Mukherjee, Oussama Moutanabbir, Giovanni Capellini, Michele Virgilio et Monica De Seta

Article de revue (2020)

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Département: Département de génie physique
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/45323/
Titre de la revue: Crystals (vol. 10, no 3)
Maison d'édition: MDPI
DOI: 10.3390/cryst10030179
URL officielle: https://doi.org/10.3390/cryst10030179
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:01
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:33
Citer en APA 7: Persichetti, L., Montanari, M., Ciano, C., Di Gaspare, L., Ortolani, M., Baldassarre, L., Zoellner, M., Mukherjee, S., Moutanabbir, O., Capellini, G., Virgilio, M., & De Seta, M. (2020). Intersubband Transition Engineering in the Conduction Band of Asymmetric Coupled Ge/SiGe Quantum Wells. Crystals, 10(3), 179 (13 pages). https://doi.org/10.3390/cryst10030179

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