Fereidoon Hashemi Noshahr, Morteza Nabavi et Mohamad Sawan
Communication écrite (2019)
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| Département: | Département de génie électrique |
|---|---|
| Centre de recherche: |
Polystim - Laboratoire de neurotechnologie GR2M - Groupe de recherche en microélectronique et microsystèmes |
| ISBN: | 9781728109961 |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/45111/ |
| Nom de la conférence: | 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS 2019) |
| Lieu de la conférence: | Genoa, Italy |
| Date(s) de la conférence: | 2019-11-27 - 2019-11-29 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/icecs46596.2019.8964991 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/icecs46596.2019.8964991 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:02 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 12:23 |
| Citer en APA 7: | Noshahr, F. H., Nabavi, M., & Sawan, M. (novembre 2019). A 2.77 w, 80 ppm/C temperature coefficient voltage reference for biomedical implants [Communication écrite]. 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS 2019), Genoa, Italy. https://doi.org/10.1109/icecs46596.2019.8964991 |
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