C. S. Sundararaman et John F. Currie
Communication écrite (1991)
Un lien externe est disponible pour ce documentDépartement: | Département de génie physique |
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URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/44506/ |
Nom de la conférence: | Emerging Optoelectronic Technologies |
Lieu de la conférence: | Bangalore, India |
Date(s) de la conférence: | 1991-12-16 |
Maison d'édition: | SPIE |
DOI: | 10.1117/12.636908 |
URL officielle: | https://doi.org/10.1117/12.636908 |
Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:26 |
Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:31 |
Citer en APA 7: | Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (décembre 1991). Rapid thermally annealed ohmic contacts to high temperature Zn implanted InP [Communication écrite]. Emerging Optoelectronic Technologies, Bangalore, India. https://doi.org/10.1117/12.636908 |
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