S. Assali, M. Elsayed, J. Nicolas, M. O. Liedke, A. Wagner, M. Butterling, R. Krause-Rehberg et Oussama Moutanabbir
Article de revue (2019)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/43504/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 114, no 25) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics Inc. |
| DOI: | 10.1063/1.5108878 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.5108878 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:01 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:30 |
| Citer en APA 7: | Assali, S., Elsayed, M., Nicolas, J., Liedke, M. O., Wagner, A., Butterling, M., Krause-Rehberg, R., & Moutanabbir, O. (2019). Vacancy complexes in nonequilibrium germanium-tin semiconductors. Applied Physics Letters, 114(25), 6 pages. https://doi.org/10.1063/1.5108878 |
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