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Transmission electron microscopy and cathodoluminescence of tensile‐strained GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. II. On the origin of luminescence heterogeneities in tensile stress relaxed GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures

F. Cléton, B. Sieber, A. Bensaada, Rémo A. Masut, J. M. Bonard et J. D. Ganière

Article de revue (1996)

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Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/43246/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 80, no 2)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.362893
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.362893
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:24
Dernière modification: 05 avr. 2024 11:41
Citer en APA 7: Cléton, F., Sieber, B., Bensaada, A., Masut, R. A., Bonard, J. M., & Ganière, J. D. (1996). Transmission electron microscopy and cathodoluminescence of tensile‐strained GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. II. On the origin of luminescence heterogeneities in tensile stress relaxed GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. Journal of Applied Physics, 80(2), 837-845. https://doi.org/10.1063/1.362893

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