<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Transmission electron microscopy and cathodoluminescence of tensile‐strained GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. II. On the origin of luminescence heterogeneities in tensile stress relaxed GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures

F. Cléton, B. Sieber, A. Bensaada, Rémo A. Masut, J. M. Bonard et J. D. Ganière

Article de revue (1996)

Un lien externe est disponible pour ce document
Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/43246/
Titre de la revue: Journal of Applied Physics (vol. 80, no 2)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.362893
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.362893
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:24
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:29
Citer en APA 7: Cléton, F., Sieber, B., Bensaada, A., Masut, R. A., Bonard, J. M., & Ganière, J. D. (1996). Transmission electron microscopy and cathodoluminescence of tensile‐strained GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. II. On the origin of luminescence heterogeneities in tensile stress relaxed GaₓIn₁₋ₓP/InP heterostructures. Journal of Applied Physics, 80(2), 837-845. https://doi.org/10.1063/1.362893

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document