Chemical Speciation and Mapping of the Si in Si Doped LFP Ingot with Synchrotron Radiation Technique

Mohammad Norouzi Banis, Zhiqiang Wang, Steeve Rousselot, Yulong Liu, Yongfeng Hu, Majid Talebi-Esfandarani, Thomas Bibienne, Michel Gauthier, Ruying Li, Guoxian Liang, Mickaël Dollé, Pierre Sauriol, Tsun-Kong Sham, Xueliang Sun

Article de revue (2019)

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Titre de la revue :
Canadian Journal of Chemical Engineering ( vol. 97 , no 8 )
Maison d'édition:
Wiley
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41861
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:02
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Norouzi Banis, M., Wang, Z., Rousselot, S., Liu, Y., Hu, Y., Talebi-Esfandarani, M., Bibienne, T., Gauthier, M., Li, R., Liang, G., Dollé, M., Sauriol, P., Sham, T.-K., & Sun, X. (2019). Chemical Speciation and Mapping of the Si in Si Doped LFP Ingot with Synchrotron Radiation Technique. Canadian Journal of Chemical Engineering, 97(8), 2211-2217. https://doi.org/10.1002/cjce.23430

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