Gerard T. Barkema, Normand Mousseau
, Richard L. C. Vink, Partha Biswas
Communication écrite (2001)
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Renseignements supplémentaires:
Article A28.1
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Nom de la conférence:
Symposium A: Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films
Lieu de la conférence:
San Francisco, Calif.
Date(s) de la conférence:
2001-04-16 - 2001-04-20
Éditeurs ou éditrices:
Maison d'édition:
Proceedings of the Materials Research Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41540
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:21
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Barkema, G. T., Mousseau, N., Vink, R. L. C., & Biswas, P. (avril 2001). Basic mechanisms of structural relaxation and diffusion in amorphous silicon [Communication écrite]. Symposium A: Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films, San Francisco, Calif. (11 pages). https://doi.org/10.1557/proc-664-a28.1
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