Gerard T. Barkema, Normand Mousseau
, Richard L. C. Vink et Partha Biswas
Communication écrite (2001)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
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| Renseignements supplémentaires: | Article A28.1 |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41540/ |
| Nom de la conférence: | Symposium A: Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films |
| Lieu de la conférence: | San Francisco, Calif. |
| Date(s) de la conférence: | 2001-04-16 - 2001-04-20 |
| Éditeurs ou éditrices: | James B. Joyce, J. David Cohen, Jun-ichi Hanna, Robert W. Collins et Martin Stutzman |
| Maison d'édition: | Proceedings of the Materials Research Society |
| DOI: | 10.1557/proc-664-a28.1 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1557/proc-664-a28.1 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:21 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | Barkema, G. T., Mousseau, N., Vink, R. L. C., & Biswas, P. (avril 2001). Basic mechanisms of structural relaxation and diffusion in amorphous silicon [Communication écrite]. Symposium A: Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films, San Francisco, Calif. (11 pages). https://doi.org/10.1557/proc-664-a28.1 |
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