Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon-Part II: Generation and Long-Time Relaxation of Damage Structure

Jay, Antoine; Raine, Mélanie; Richard, Nicolas; Mousseau, Normand; Goiffon, Vincent; Hémeryck, Anne; Magnan, Pierre; Jay, Antoine; Raine, Mélanie; Richard, Nicolas; Mousseau, Normand; Goiffon, Vincent; Hémeryck, Anne; Magnan, Pierre

Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon-Part II: Generation and Long-Time Relaxation of Damage Structure

Antoine Jay, Mélanie Raine, Nicolas Richard, Normand Mousseau , Vincent Goiffon, Anne Hémeryck, Pierre Magnan

Article de revue (2017)

Accéder à ce document

Lien externe

Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel

Voir chez l'éditeur officiel

Département:

Département de mathématiques et de génie industriel

Adresse URL de PolyPublie:

https://publications.polymtl.ca/41467/

Titre de la revue :

IEEE Transactions on Nuclear Science ( vol. 64 , no 1 )

Maison d'édition:

Institute of Electrical and Electronics Engineers

DOI:

10.1109/tns.2016.2628089

URL officielle:

https://doi.org/10.1109/tns.2016.2628089

OAI:

oai:publications.polymtl.ca:41467

ORCID

Date du dépôt:

18 avr. 2023 15:04

Dernière modification:

14 oct. 2026 13:52

Citer en APA 7:

Jay, A., Raine, M., Richard, N., Mousseau, N., Goiffon, V., Hémeryck, A., & Magnan, P. (2017). Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon-Part II: Generation and Long-Time Relaxation of Damage Structure. IEEE Transactions on Nuclear Science, 64(1), 141-148. https://doi.org/10.1109/tns.2016.2628089

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document