Antoine Jay, Mélanie Raine, Nicolas Richard, Normand Mousseau
, Vincent Goiffon, Anne Hémeryck et Pierre Magnan
Article de revue (2017)
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| Département: | Département de mathématiques et de génie industriel |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41467/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 64, no 1) |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/tns.2016.2628089 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/tns.2016.2628089 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:04 |
| Dernière modification: | 03 août 2026 16:01 |
| Citer en APA 7: | Jay, A., Raine, M., Richard, N., Mousseau, N., Goiffon, V., Hémeryck, A., & Magnan, P. (2017). Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon-Part II: Generation and Long-Time Relaxation of Damage Structure. IEEE Transactions on Nuclear Science, 64(1), 141-148. https://doi.org/10.1109/tns.2016.2628089 |
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