Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon-Part II: Generation and Long-Time Relaxation of Damage Structure

Antoine Jay, Mélanie Raine, Nicolas Richard, Normand Mousseau, V. Incent Goiffon, Anne Hémeryck et Pierre Magna

Article de revue (2017)

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Département:	Département de mathématiques et de génie industriel
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41467/
Titre de la revue:	IEEE Transactions on Nuclear Science (vol. 64, no 1)
Maison d'édition:	IEEE
DOI:	10.1109/tns.2016.2628089
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/tns.2016.2628089
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:04
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:38

Citer en APA 7:	Jay, A., Raine, M., Richard, N., Mousseau, N., Goiffon, V. I., Hémeryck, A., & Magna, P. (2017). Simulation of Single Particle Displacement Damage in Silicon-Part II: Generation and Long-Time Relaxation of Damage Structure. IEEE Transactions on Nuclear Science, 64(1), 141-148. https://doi.org/10.1109/tns.2016.2628089
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