Laurent Karim Béland, Normand Mousseau
Article de revue (2013)
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Titre de la revue
:
Physical Review B
(
vol.
88
,
no
21
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41380
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Béland, L. K., & Mousseau, N. (2013). Long-time relaxation of ion-bombarded silicon studied with the kinetic activation-relaxation technique: Microscopic description of slow aging in a disordered system. Physical Review B, 88(21), 214201 (9 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.88.214201
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