Long-time relaxation of ion-bombarded silicon studied with the kinetic activation-relaxation technique: Microscopic description of slow aging in a disordered system

Laurent Karim Béland et Normand Mousseau

Article de revue (2013)

Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal

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Centre de recherche:	RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41380/
Titre de la revue:	Physical Review B (vol. 88, no 21)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physrevb.88.214201
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physrevb.88.214201
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:09
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:27

Citer en APA 7:	Béland, L. K., & Mousseau, N. (2013). Long-time relaxation of ion-bombarded silicon studied with the kinetic activation-relaxation technique: Microscopic description of slow aging in a disordered system. Physical Review B, 88(21), 214201 (9 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.88.214201
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