Laurent Karim Béland et Normand Mousseau
Article de revue (2013)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document
| Centre de recherche: | RQMP - Regroupement québécois sur les matériaux de pointe |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41380/ |
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 88, no 21) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.88.214201 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.88.214201 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:09 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | Béland, L. K., & Mousseau, N. (2013). Long-time relaxation of ion-bombarded silicon studied with the kinetic activation-relaxation technique: Microscopic description of slow aging in a disordered system. Physical Review B, 88(21), 214201 (9 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.88.214201 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
