Patrick Ganster, Laurent Karim Béland, Normand Mousseau
Article de revue (2012)
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Titre de la revue
:
Physical Review B
(
vol.
86
,
no
7
)
Maison d'édition:
American Physical Society
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:41378
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:10
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:52
Citer en APA 7:
Ganster, P., Béland, L. K., & Mousseau, N. (2012). First stages of silicon oxidation with the activation relaxation technique. Physical Review B, 86(7), 075408 (7 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.86.075408
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