First stages of silicon oxidation with the activation relaxation technique

Patrick Ganster, Laurent Karim Béland et Normand Mousseau

Article de revue (2012)

Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal

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URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/41378/
Titre de la revue:	Physical Review B (vol. 86, no 7)
Maison d'édition:	American Physical Society
DOI:	10.1103/physrevb.86.075408
URL officielle:	https://doi.org/10.1103/physrevb.86.075408
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:10
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:27

Citer en APA 7:	Ganster, P., Béland, L. K., & Mousseau, N. (2012). First stages of silicon oxidation with the activation relaxation technique. Physical Review B, 86(7), 075408 (7 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.86.075408
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