Patrick Ganster, Laurent Karim Béland et Normand Mousseau
Article de revue (2012)
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| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41378/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 86, no 7) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.86.075408 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.86.075408 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:10 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | Ganster, P., Béland, L. K., & Mousseau, N. (2012). First stages of silicon oxidation with the activation relaxation technique. Physical Review B, 86(7), 075408 (7 pages). https://doi.org/10.1103/physrevb.86.075408 |
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