Normand Mousseau
et G. T. Barkema
Article de revue (2000)
Document publié alors que les auteurs ou autrices n'étaient pas affiliés à Polytechnique Montréal
Un lien externe est disponible pour ce document
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/41362/ |
|---|---|
| Titre de la revue: | Physical Review B (vol. 61, no 3) |
| Maison d'édition: | American Physical Society |
| DOI: | 10.1103/physrevb.61.1898 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1103/physrevb.61.1898 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 07:05 |
| Citer en APA 7: | Mousseau, N., & Barkema, G. T. (2000). Activated mechanisms in amorphous silicon: An activation-relaxation-technique study. Physical Review B, 61(3), 1898-1906. https://doi.org/10.1103/physrevb.61.1898 |
|---|---|
Statistiques
Dimensions
Actions réservées au personnel
|
Afficher document |
