R. Kressmann, H. Amjadi, G. M. Sessler, D. Rats, Ludvik Martinu
, Jolanta-Ewa Sapieha, Michael R. Wertheimer
Communication écrite (1998)
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Nom de la conférence:
Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena
Lieu de la conférence:
Atlanta, GA, USA
Date(s) de la conférence:
1998-10-25 - 1998-10-28
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:38271
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:29
Citer en APA 7:
Kressmann, R., Amjadi, H., Sessler, G. M., Rats, D., Martinu, L., Sapieha, J.-E., & Wertheimer, M. R. (octobre 1998). Charge storage in PECVD silicon oxynitride layers [Communication écrite]. Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, Atlanta, GA, USA. https://doi.org/10.1109/ceidp.1998.732970
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