Charge storage in PECVD silicon oxynitride layers

R. Kressmann, H. Amjadi, G. M. Sessler, D. Rats, Ludvik Martinu, Jolanta-Ewa Sapieha et Michael R. Wertheimer

Communication écrite (1998)

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Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/38271/
Nom de la conférence:	Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena
Lieu de la conférence:	Atlanta, GA, USA
Date(s) de la conférence:	1998-10-25 - 1998-10-28
Maison d'édition:	IEEE
DOI:	10.1109/ceidp.1998.732970
URL officielle:	https://doi.org/10.1109/ceidp.1998.732970
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:32

Citer en APA 7:	Kressmann, R., Amjadi, H., Sessler, G. M., Rats, D., Martinu, L., Sapieha, J.-E., & Wertheimer, M. R. (octobre 1998). Charge storage in PECVD silicon oxynitride layers [Communication écrite]. Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, Atlanta, GA, USA. https://doi.org/10.1109/ceidp.1998.732970
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