R. Kressmann, H. Amjadi, G. M. Sessler, D. Rats, Ludvik Martinu
, Jolanta-Ewa Sapieha et Michael R. Wertheimer
Communication écrite (1998)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/38271/ |
| Nom de la conférence: | Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena |
| Lieu de la conférence: | Atlanta, GA, USA |
| Date(s) de la conférence: | 1998-10-25 - 1998-10-28 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/ceidp.1998.732970 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/ceidp.1998.732970 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:22 |
| Citer en APA 7: | Kressmann, R., Amjadi, H., Sessler, G. M., Rats, D., Martinu, L., Sapieha, J.-E., & Wertheimer, M. R. (octobre 1998). Charge storage in PECVD silicon oxynitride layers [Communication écrite]. Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, Atlanta, GA, USA. https://doi.org/10.1109/ceidp.1998.732970 |
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