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Laser-Assisted Low-Temperature Deposition of WSiₓ from WF₆ and SiH₄

R. Izquierdo, Patrick Desjardins, N. Elyaagoubi et Michel Meunier

Communication écrite (1992)

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Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
Organismes subventionnaires: Fonds pour la Formation des Chercheurs, Aide à la Recherche (FCAR) du Québec, CRSNG / NSERC
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/35744/
Nom de la conférence: Chemical Perspectives of Microelectronic Materials III
Lieu de la conférence: Boston, Mass.
Date(s) de la conférence: 1992-11-30 - 1992-12-04
Titre de la revue: MRS Proceedings (vol. 282)
Maison d'édition: Materials Research Society
DOI: 10.1557/proc-282-209
URL officielle: https://doi.org/10.1557/proc-282-209
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:26
Dernière modification: 05 avr. 2024 11:28
Citer en APA 7: Izquierdo, R., Desjardins, P., Elyaagoubi, N., & Meunier, M. (novembre 1992). Laser-Assisted Low-Temperature Deposition of WSiₓ from WF₆ and SiH₄ [Communication écrite]. Chemical Perspectives of Microelectronic Materials III, Boston, Mass.. Publié dans MRS Proceedings, 282. https://doi.org/10.1557/proc-282-209

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