Diode laser induced chemical vapor deposition of WSiₓ on TiN from WF₆ and SiH₄

Patrick Desjardins, R. Izquierdo, Michel Meunier

Article de revue (1993)

Accéder à ce document
Lien externe
Ce document n'est pas archivé dans PolyPublie, mais peut être consulté chez l'éditeur officiel
Voir chez l'éditeur officiel
Département:
Département de génie physique
Unité de recherche:
GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
Adresse URL de PolyPublie:
https://publications.polymtl.ca/35725/
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 73 , no 10 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
DOI:
10.1063/1.353749
URL officielle:
https://doi.org/10.1063/1.353749
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:35725
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:25
Citer en APA 7:
Desjardins, P., Izquierdo, R., & Meunier, M. (1993). Diode laser induced chemical vapor deposition of WSiₓ on TiN from WF₆ and SiH₄. Journal of Applied Physics, 73(10), 5216-5216. https://doi.org/10.1063/1.353749

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document
Afficher document