Diode laser induced chemical vapor deposition of WSiₓ on TiN from WF₆ and SiH₄

Patrick Desjardins, R. Izquierdo et Michel Meunier

Article de revue (1993)

Un lien externe est disponible pour ce document

Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/35725/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 73, no 10)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.353749
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.353749
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:28

Citer en APA 7:	Desjardins, P., Izquierdo, R., & Meunier, M. (1993). Diode laser induced chemical vapor deposition of WSiₓ on TiN from WF₆ and SiH₄. Journal of Applied Physics, 73(10), 5216-5216. https://doi.org/10.1063/1.353749
APA 7 (HTML)ASCII CitationAtomBibTeXDOIsDublin CoreEndNote (.ENW)MARC (ISO 2709/UTF-8) (.MRC)MARC (UTF-8) (.MRK8)MARC XMLMPEG-21 DIDLMultiline CSVOAI-ORE Resource Map (Atom Format)OPENAIREOpenURL ContextObjectOpenURL ContextObject in SpanRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference Manager (.RIS)Répertoire des publications (EndNote)Simple Metadata

Statistiques

Actions réservées au personnel