Diode laser induced chemical vapor deposition of WSiₓ on TiN from WF₆ and SiH₄

Patrick Desjardins, R. Izquierdo et Michel Meunier

Article de revue (1993)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/35725/
Titre de la revue:	Journal of Applied Physics (vol. 73, no 10)
Maison d'édition:	American Institute of Physics
DOI:	10.1063/1.353749
URL officielle:	https://doi.org/10.1063/1.353749
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:19

Citer en APA 7:	Desjardins, P., Izquierdo, R., & Meunier, M. (1993). Diode laser induced chemical vapor deposition of WSiₓ on TiN from WF₆ and SiH₄. Journal of Applied Physics, 73(10), 5216-5216. https://doi.org/10.1063/1.353749
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