Electronic transport through a-Si:H/a-SiNₓ:H single and double barrier structures

C. J. Arsenault, Michel Meunier, M. Beaudoin et B. Movaghar

Article de revue (1991)

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Département:	Département de génie physique
Centre de recherche:	GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/35685/
Titre de la revue:	Journal of Non-Crystalline Solids (vol. 137-138)
Maison d'édition:	Elsevier
DOI:	10.1016/s0022-3093(05)80317-5
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2805%2980317-5
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:26
Dernière modification:	25 sept. 2024 16:19

Citer en APA 7:	Arsenault, C. J., Meunier, M., Beaudoin, M., & Movaghar, B. (1991). Electronic transport through a-Si:H/a-SiNₓ:H single and double barrier structures. Journal of Non-Crystalline Solids, 137-138, 1111-1114. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2805%2980317-5
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