M. Bégin, Fadhel M. Ghannouchi, F. Beauregard, L. Selmi, B. Ricco, V. Borelli
Communication écrite (1994)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
ISBN:
2863321579
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
ESSDERC`94 - 24th European Solid State Device Research Conference
Lieu de la conférence:
Edinburgh, UK
Date(s) de la conférence:
1994-09-11 - 1994-09-15
Maison d'édition:
Editions Frontières
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:33556
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:25
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:21
Citer en APA 7:
Bégin, M., Ghannouchi, F. M., Beauregard, F., Selmi, L., Ricco, B., & Borelli, V. (septembre 1994). Characterization of transient effects in the S-parameters of GaAs MESFETs by means of pulsed measurements [Communication écrite]. ESSDERC`94 - 24th European Solid State Device Research Conference, Edinburgh, UK. https://ieeexplore.ieee.org/document/5435798
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