M. Bégin, Fadhel M. Ghannouchi, F. Beauregard, L. Selmi, B. Ricco et V. Borelli
Communication écrite (1994)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/33556/ |
| Nom de la conférence: | ESSDERC`94 - 24th European Solid State Device Research Conference |
| Lieu de la conférence: | Edinburgh, UK |
| Date(s) de la conférence: | 1994-09-11 - 1994-09-15 |
| Maison d'édition: | Editions Frontières |
| URL officielle: | https://ieeexplore.ieee.org/document/5435798 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:16 |
| Citer en APA 7: | Bégin, M., Ghannouchi, F. M., Beauregard, F., Selmi, L., Ricco, B., & Borelli, V. (septembre 1994). Characterization of transient effects in the S-parameters of GaAs MESFETs by means of pulsed measurements [Communication écrite]. ESSDERC`94 - 24th European Solid State Device Research Conference, Edinburgh, UK. https://ieeexplore.ieee.org/document/5435798 |
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