A. Bensaada, A. Chennouf, R. W. Cochrane, J. T. Graham, R. Leonelli et Rémo A. Masut
Article de revue (1994)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/33544/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 75, no 6) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.356147 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.356147 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:24 |
| Citer en APA 7: | Bensaada, A., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Graham, J. T., Leonelli, R., & Masut, R. A. (1994). Misfit strain, relaxation, and band-gap shift in GaₓIn₁₋ₓP/InP epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 75(6), 3024-3029. https://doi.org/10.1063/1.356147 |
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