Misfit strain, relaxation, and band-gap shift in GaₓIn₁₋ₓP/InP epitaxial layers

A. Bensaada, A. Chennouf, R. W. Cochrane, J. T. Graham, R. Leonelli, Rémo A. Masut

Article de revue (1994)

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Titre de la revue :
Journal of Applied Physics ( vol. 75 , no 6 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:33544
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Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:25
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:21
Citer en APA 7:
Bensaada, A., Chennouf, A., Cochrane, R. W., Graham, J. T., Leonelli, R., & Masut, R. A. (1994). Misfit strain, relaxation, and band-gap shift in GaₓIn₁₋ₓP/InP epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 75(6), 3024-3029. https://doi.org/10.1063/1.356147

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