C. A. Tran, Rémo A. Masut
, J. L. Brebner et M. Jouanne
Article de revue (1994)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32797/ |
| Titre de la revue: | Journal of Applied Physics (vol. 75, no 5) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.356261 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.356261 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:15 |
| Citer en APA 7: | Tran, C. A., Masut, R. A., Brebner, J. L., & Jouanne, M. (1994). Atomic layer epitaxy and structural characterization of InP and InAs/InP heterostructures. Journal of Applied Physics, 75(5), 2398-2405. https://doi.org/10.1063/1.356261 |
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