Nicolas Constantin et Fadhel M. Ghannouchi
Communication écrite (1995)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32420/ |
| Nom de la conférence: | IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 1995) |
| Lieu de la conférence: | Orlando, FL, USA |
| Date(s) de la conférence: | 1995-05-16 - 1995-05-20 |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/mwsym.1995.406007 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/mwsym.1995.406007 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:22 |
| Citer en APA 7: | Constantin, N., & Ghannouchi, F. M. (mai 1995). Comprehensive experimental investigation of gate current limitation effects on power GaAs FETs RF performances [Communication écrite]. IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 1995), Orlando, FL, USA. https://doi.org/10.1109/mwsym.1995.406007 |
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