Nicolas Constantin, Fadhel M. Ghannouchi
Communication écrite (1995)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 1995)
Lieu de la conférence:
Orlando, FL, USA
Date(s) de la conférence:
1995-05-16 - 1995-05-20
Maison d'édition:
IEEE
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:32420
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:20
Citer en APA 7:
Constantin, N., & Ghannouchi, F. M. (mai 1995). Comprehensive experimental investigation of gate current limitation effects on power GaAs FETs RF performances [Communication écrite]. IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 1995), Orlando, FL, USA. https://doi.org/10.1109/mwsym.1995.406007
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