Nicolas Constantin et Fadhel M. Ghannouchi
Article de revue (1995)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
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| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32419/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (vol. 43, no 12, pt 2) |
| Maison d'édition: | IEEE |
| DOI: | 10.1109/22.475656 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/22.475656 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:22 |
| Citer en APA 7: | Constantin, N., & Ghannouchi, F. M. (1995). GaAs FET's gate current behavior and its effects on RF performance and reliability in SSPA's. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 43(12, pt 2), 2918-2925. https://doi.org/10.1109/22.475656 |
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