Nicolas Constantin, Fadhel M. Ghannouchi
Article de revue (1995)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
(
vol.
43
,
no
12, pt 2
)
Maison d'édition:
IEEE
DOI:
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:32419
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:24
Dernière modification:
08 oct. 2026 17:42
Citer en APA 7:
Constantin, N., & Ghannouchi, F. M. (1995). GaAs FET's gate current behavior and its effects on RF performance and reliability in SSPA's. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 43(12, pt 2), 2918-2925. https://doi.org/10.1109/22.475656
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