Rached Hajji, Ammar B. Kouki et Fadhel M. Ghannouchi
Article de revue (1995)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/32192/ |
| Titre de la revue: | Microwave and Optical Technology Letters (vol. 9, no 3) |
| Maison d'édition: | Wiley |
| DOI: | 10.1002/mop.4650090307 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1002/mop.4650090307 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:24 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:14 |
| Citer en APA 7: | Hajji, R., Kouki, A. B., & Ghannouchi, F. M. (1995). New nonlinear DC model for HBT and MESFET power devices. Microwave and Optical Technology Letters, 9(3), 130-133. https://doi.org/10.1002/mop.4650090307 |
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