C. S. Sundararaman et John F. Currie
Article de revue (1995)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| Organismes subventionnaires: | NSERC, FCAR Device Team and Research Center |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31704/ |
| Titre de la revue: | IEEE Electron Device Letters (vol. 16, no 12) |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/55.475585 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/55.475585 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 08 avr. 2025 06:52 |
| Citer en APA 7: | Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1995). Performance of interface engineered SiNₓ/ICL/InP/In₀.₅₃Ga₀.₄₇As/InP doped channel HIGFET's. IEEE Electron Device Letters, 16(12), 554-556. https://doi.org/10.1109/55.475585 |
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