C. S. Sundararaman et John F. Currie
Article de revue (1995)
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| Département: | Département de génie physique |
|---|---|
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/31703/ |
| Titre de la revue: | IEEE Transactions on Electron Devices (vol. 42, no 6) |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/16.387260 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/16.387260 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:25 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:13 |
| Citer en APA 7: | Sundararaman, C. S., & Currie, J. F. (1995). Characteristics of sinx/inp/in0.53ga0.47as/Inp heterostructure insulated gate (hig)fets with an in2s3 interface control layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 42(6), 1197-1199. https://doi.org/10.1109/16.387260 |
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