P. Berini, Fadhel M. Ghannouchi et Rénato Bosisio
Communication écrite (1997)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique |
|---|---|
| Département: |
Département de génie électrique Département de génie informatique et génie logiciel |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/30658/ |
| Nom de la conférence: | IEEE instrumentation & measurements technology conference |
| Lieu de la conférence: | Ottawa, Canada |
| Date(s) de la conférence: | 1997-01-01 - 1997-12-31 |
| Maison d'édition: | Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| DOI: | 10.1109/imtc.1997.604036 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1109/imtc.1997.604036 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:20 |
| Citer en APA 7: | Berini, P., Ghannouchi, F. M., & Bosisio, R. (janvier 1997). Active load characterization of a microwave transistor for oscillator design [Communication écrite]. IEEE instrumentation & measurements technology conference, Ottawa, Canada. https://doi.org/10.1109/imtc.1997.604036 |
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