Active load characterization of a microwave transistor for oscillator design

Pierre Berini, Fadhel M. Ghannouchi, Rénato Bosisio

Communication écrite (1997)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Adresse URL de PolyPublie:
Nom de la conférence:
IEEE instrumentation & measurements technology conference
Lieu de la conférence:
Ottawa, ON, Canada
Date(s) de la conférence:
1997-05-19 - 1997-05-21
Maison d'édition:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:30658
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
08 oct. 2026 17:38
Citer en APA 7:
Berini, P., Ghannouchi, F. M., & Bosisio, R. (mai 1997). Active load characterization of a microwave transistor for oscillator design [Communication écrite]. IEEE instrumentation & measurements technology conference, Ottawa, ON, Canada. https://doi.org/10.1109/imtc.1997.604036

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