<  Retour au portail Polytechnique Montréal

Active load characterization of a microwave transistor for oscillator design

Pierre Berini, Fadhel M. Ghannouchi et Rénato Bosisio

Communication écrite (1997)

Un lien externe est disponible pour ce document
Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de génie électrique et de génie informatique
Département: Département de génie électrique
Département de génie informatique et génie logiciel
Centre de recherche: POLY-GRAMES - Centre de recherche avancée en micro-ondes et en électronique spatiale
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/30658/
Nom de la conférence: IEEE instrumentation & measurements technology conference
Lieu de la conférence: Ottawa, ON, Canada
Date(s) de la conférence: 1997-05-19 - 1997-05-21
Maison d'édition: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/imtc.1997.604036
URL officielle: https://doi.org/10.1109/imtc.1997.604036
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:23
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:12
Citer en APA 7: Berini, P., Ghannouchi, F. M., & Bosisio, R. (mai 1997). Active load characterization of a microwave transistor for oscillator design [Communication écrite]. IEEE instrumentation & measurements technology conference, Ottawa, ON, Canada. https://doi.org/10.1109/imtc.1997.604036

Statistiques

Dimensions

Actions réservées au personnel

Afficher document Afficher document