Y. G. Zhao, Y. H. Zou, J. J. Wang, Y. D. Qin, X. L. Huang, Rémo A. Masut
et A. Bensaada
Article de revue (1998)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/29214/ |
| Titre de la revue: | Applied Physics Letters (vol. 72, no 1) |
| Maison d'édition: | American Institute of Physics |
| DOI: | 10.1063/1.120656 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1063/1.120656 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:23 |
| Dernière modification: | 05 avr. 2024 11:17 |
| Citer en APA 7: | Zhao, Y. G., Zou, Y. H., Wang, J. J., Qin, Y. D., Huang, X. L., Masut, R. A., & Bensaada, A. (1998). Effect of interface roughness and well width on differential reflection dynamics in InGaAs/InP quantum wells. Applied Physics Letters, 72(1), 97-99. https://doi.org/10.1063/1.120656 |
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