Effect of interface roughness and well width on differential reflection dynamics in InGaAs/InP quantum wells

Y. G. Zhao, Y. H. Zou, J. J. Wang, Y. D. Qin, X. L. Huang, Rémo A. Masut, A. Bensaada

Article de revue (1998)

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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
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Titre de la revue :
Applied Physics Letters ( vol. 72 , no 1 )
Maison d'édition:
American Institute of Physics
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:29214
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:23
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:06
Citer en APA 7:
Zhao, Y. G., Zou, Y. H., Wang, J. J., Qin, Y. D., Huang, X. L., Masut, R. A., & Bensaada, A. (1998). Effect of interface roughness and well width on differential reflection dynamics in InGaAs/InP quantum wells. Applied Physics Letters, 72(1), 97-99. https://doi.org/10.1063/1.120656

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