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Effect of interface roughness and well width on differential reflection dynamics in InGaAs/InP quantum wells

Y. G. Zhao, Y. H. Zou, J. J. Wang, Y. D. Qin, X. L. Huang, Rémo A. Masut et A. Bensaada

Article de revue (1998)

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Renseignements supplémentaires: Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département: Département de génie physique
Centre de recherche: GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces
URL de PolyPublie: https://publications.polymtl.ca/29214/
Titre de la revue: Applied Physics Letters (vol. 72, no 1)
Maison d'édition: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.120656
URL officielle: https://doi.org/10.1063/1.120656
Date du dépôt: 18 avr. 2023 15:23
Dernière modification: 25 sept. 2024 16:10
Citer en APA 7: Zhao, Y. G., Zou, Y. H., Wang, J. J., Qin, Y. D., Huang, X. L., Masut, R. A., & Bensaada, A. (1998). Effect of interface roughness and well width on differential reflection dynamics in InGaAs/InP quantum wells. Applied Physics Letters, 72(1), 97-99. https://doi.org/10.1063/1.120656

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