Multiple-trapping model with field-dependent effects on carrier time of flight in a-Si:H

Chao Chen Wen, L. A. Hamel et Arthur Yelon

Article de revue (1999)

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Renseignements supplémentaires:	Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:	Département de génie physique
URL de PolyPublie:	https://publications.polymtl.ca/28492/
Titre de la revue:	Journal of Non-Crystalline Solids (vol. 258, no 1-3)
Maison d'édition:	Elsevier
DOI:	10.1016/s0022-3093(99)00414-7
URL officielle:	https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2899%2900414-7
Date du dépôt:	18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:	05 avr. 2024 11:16

Citer en APA 7:	Wen, C. C., Hamel, L. A., & Yelon, A. (1999). Multiple-trapping model with field-dependent effects on carrier time of flight in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, 258(1-3), 223-233. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2899%2900414-7
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