Chao Chen Wen, L. A. Hamel, Arthur Yelon
Article de revue (1999)
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Renseignements supplémentaires:
Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux
Département:
Unité de recherche:
Adresse URL de PolyPublie:
Titre de la revue
:
Journal of Non-Crystalline Solids
(
vol.
258
,
no
1-3
)
Maison d'édition:
Elsevier
URL officielle:
OAI:
oai:publications.polymtl.ca:28492
ORCID
Date du dépôt:
18 avr. 2023 15:22
Dernière modification:
14 oct. 2026 13:05
Citer en APA 7:
Wen, C. C., Hamel, L. A., & Yelon, A. (1999). Multiple-trapping model with field-dependent effects on carrier time of flight in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, 258(1-3), 223-233. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2899%2900414-7
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