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Documents dont l'auteur est "Hamel, L. A."

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C

Chen, W. C., Kemp, M., Hamel, L. A., & Yelon, A. (2000). Rapid Relaxation and Electronic Properties of a-Si : H. Journal of Non-Crystalline Solids, 277(2-3), 219-224. Lien externe

Chen, W. C., Hamel, L. A., Kemp, M., & Yelon, A. (1999). Modelling of Drift Mobility Experiments on a-Si:H. MRS Proceedings, 557, 433-438. Lien externe

Chao, C. W., Hamel, L. A., & Yelon, A. (1997). Monte Carlo simulations of Meyer-Neldel effect on carrier time-of-flight in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, 220(2-3), 254-260. Lien externe

M

Maassen, J., Yelon, A., & Hamel, L. A. (2007). Simulation of Picosecond Domain Time-of-Flight Experiments in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, 353(52-54), 4779-4782. Lien externe

W

Wen, C. C., Hamel, L. A., & Yelon, A. (1999). Multiple-trapping model with field-dependent effects on carrier time of flight in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, 258(1-3), 223-233. Lien externe

Liste produite: Thu Mar 28 04:29:56 2024 EDT.