Chao Chen Wen, L. A. Hamel et Arthur Yelon
Article de revue (1999)
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| Renseignements supplémentaires: | Nom historique du département: Département de génie physique et de génie des matériaux |
|---|---|
| Département: | Département de génie physique |
| Centre de recherche: | GCM - Groupe de recherche en physique et technologie des couches minces |
| URL de PolyPublie: | https://publications.polymtl.ca/28492/ |
| Titre de la revue: | Journal of Non-Crystalline Solids (vol. 258, no 1-3) |
| Maison d'édition: | Elsevier |
| DOI: | 10.1016/s0022-3093(99)00414-7 |
| URL officielle: | https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2899%2900414-7 |
| Date du dépôt: | 18 avr. 2023 15:22 |
| Dernière modification: | 25 sept. 2024 16:09 |
| Citer en APA 7: | Wen, C. C., Hamel, L. A., & Yelon, A. (1999). Multiple-trapping model with field-dependent effects on carrier time of flight in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, 258(1-3), 223-233. https://doi.org/10.1016/s0022-3093%2899%2900414-7 |
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